Resumo

DECIMA, Santiago; DIAZ, Eliseo Narciso; FUENTES, Ana Silvina  e  FILIPPIN, Francisco Ángel. Propiedades semiconductoras del óxido de Ti sobre sustratos vidrio/Ti y chapa de Ti en contacto con una solución de 0,5 M de HClO₄. Tecnol. cienc. [online]. 2022, n.45, pp.14-30.  Epub 11-Nov-2022. ISSN 1666-6933.  http://dx.doi.org/10.33414/rtyc.45.14-30.2022.

El estudio de la interfase semiconductor/electrolito tiene aplicaciones en la producción de celdas solares fotoelectroquímicas. Las propiedades semiconductoras de un semiconductor de tipo n pueden ser evaluadas mediante el modelo de Mott-Schottky cuando se lo pone en contacto con un electrolito. El titanio (Ti) es un metal que presenta una película de óxido espontánea, dióxido de titanio (TiO2), la cual puede ser crecida por anodización. En este trabajo se crecieron anódicamente películas de óxido de Ti, sobre los sustratos vidrio/Ti y chapa de Ti, y se aplicó el modelo de Mott-Schottky para evaluar sus propiedades semiconductoras en contacto con una solución de 0,5 M de HClO4 a temperatura ambiente. Bajo las condiciones descritas en este trabajo, los electrodos vidrio/Ti/TiO2 y chapa de Ti/TiO2 presentan el comportamiento de un semiconductor de tipo n con una concentración de donadores del orden de 10 21 y 10 20 cm −3 , respectivamente. Las películas de óxido fueron estables antes y después de los experimentos.

Palavras-chave : celdas solares fotoelectroquímicas; propiedades semiconductoras; modelo de Mott-Schottky; dióxido de titanio.

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