Resumo

FILIPPIN, F.A; SANTOS, E  e  AVALLE, L.B. Evaluación de las propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO₂ en una solución ácida diluida. An. AFA [online]. 2017, vol.28, n.2, pp.45-49. ISSN 0327-358X.

El titanio (Ti) es un material termodinámicamente estable ante la corrosión, debido a la presencia de una película de óxido pasiva sobre su superficie formada espontáneamente. La película de óxido pasiva está compuesta de dióxido de titanio (TiO₂) que puede ser formada por oxidación térmica o por anodización; estas presentan características de un semiconductor. Las propiedades semiconductoras de películas de óxido formadas anódicamente, han sido interpretadas por representaciones gráficas de Mott-Schottky. En esta presentación se utilizó el modelo de Mott-Schottky para calcular las propiedades electrónicas de la superficie semiconductora de un sustrato vidrio/Ti/TiO₂ crecido potenciodinámicamente, a un potencial de formación de la película de óxido anódico de E_f = 1,85 V vs ENH (electrodo normal de hidrógeno) en 0,01M HClO₄. Bajo las condiciones experimentales descritas en este trabajo el electrodo vidrio/Ti/TiO₂ presenta un comportamiento de un semiconductor tipo-n y una concentración de vacantes de oxígeno del orden de 10²² cm^-3. Finalmente, el óxido anódico formado sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO₂ fue estable antes y después de los ensayos realizados.

Palavras-chave : Dióxido de titanio; Anodización; Mott-Schottky.

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